參數(shù)資料
型號(hào)： XN5501
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, SC-74, 6 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 33K
代理商： XN5501
2
Composite Transistors
XN5501
P
T
— Ta
I
C
— V
CE
I
B
— V
BE
I
C
— V
BE
I
C
— I
B
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
NV — I
C
0
100
200
300
400
500
0
40
80
120
160
Ambient temperature Ta (C)
T
T
0
0
10
2
4
8
6
60
50
40
30
20
10
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta=25C
I
B
=160
μ
A
140
μ
A
120
μ
A
100
μ
A
80
μ
A
60
μ
A
40
μ
A
20
μ
A
0
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1200
1000
800
600
400
200
Base to emitter voltage V
BE
(V)
B
B
μ
A
V
CE
=10V
Ta=25C
0
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
240
200
160
120
80
40
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
V
CE
=10V
Ta=75C
–25C
25C
0
0
1000
800
600
400
200
Base current I
B
(
μ
A)
240
200
160
120
80
40
C
C
V
CE
=10V
Ta=25C
0.01
0.03
0.1
0.3
Collector current I
C
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
0
0.1
0.3
Collector current I
C
(mA)
600
500
400
300
200
100
1
3
10
30
100
F
F
V
CE
=10V
Ta=75C
25C
–25C
0
300
240
180
120
60
–1
–3
–10
–30
–100
T
T
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=10V
Ta=25C
0
10
240
200
160
120
80
40
30
100
300
1000
50
500
20
Collector current I
C
(
μ
A)
200
N
V
CE
=10V
G
V
=80dB
Function=FLAT
Ta=25C
4.7k
R
g
=100k
22k
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