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參數(shù)資料
| 型號： | XN05601 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, SC-74, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | XN05601 |
1
Composite Transistors
XN5601
Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr1)
Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr2)
For general amplification
I
Features
G
Two elements incorporated into one package.
G
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.
I
Basic Part Number of Element
G
2SB709A+2SD601A
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Marking Symbol:
4N
Internal Connection
1 : Collector (Tr1)
2 : Emitter (Tr2)
3 : Collector (Tr2)
4 : Base (Tr2)
5 : Base (Tr1)
6 : Emitter (Tr1)
EIAJ : SC–74
Mini Type Package (6–pin)
2.8
+0.2
–0.3
1.5
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
1
6
5
4
3
2
1
±
0
0
0
1
±
0
+0.25
0
+
–
0
+
–
2
+
–
1
+
–
0
0.4
±
0.2
0
0
+
–
0.1 to 0.3
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
stg
–60
V
Collector to emitter voltage
–50
V
Emitter to base voltage
–7
V
Collector current
–100
mA
Peak collector current
–200
mA
Collector to base voltage
60
V
Collector to emitter voltage
50
V
Emitter to base voltage
7
V
Collector current
100
mA
Peak collector current
200
mA
Total power dissipation
300
mW
Junction temperature
150
C
Storage temperature
–55 to +150
C
Tr1
Overall
Tr2
6
1
2
Tr2
Tr1
5
4
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN6111 | Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XN06111 | Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XN6112 | COMBINATION D SUB COAX R/A PCB |
| XN6113 | Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XN6114 | Silicon PNP epitaxial planer transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| XN06111 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XN06111(XN6111) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
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