參數(shù)資料
型號(hào)： BUK6246-75C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： POWER, FET
封裝： PLASTIC, DPAK, SC-63, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/14頁
文件大小： 194K
代理商： BUK6246-75C
BUK6246-75C
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Product data sheet
Rev. 1 — 13 July 2011
9 of 14
NXP Semiconductors
BUK6246-75C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 13. Gate charge waveform definitions
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 15. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
Fig 16. Source current as a function of source-drain
voltage; typical values
003aaa508
V
GS
V
GS(th)
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
DS
Q
G(tot)
I
D
Q
GS
V
GS(pl)
003aae878
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
V
DS
= 60V
14V
003aae879
1
10
10
2
10
3
10
4
10
-2
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
rss
C
oss
003aae877
0
10
20
30
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
(V)
I
S
(A)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK624R5-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK625R0-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK625R2-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK626R2-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6507-55C N-channel TrenchMOS logic and standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BUK624R5-30C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK625R0-40C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH40V87ASOT428 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,87A,SOT428
BUK625R0-40C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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