參數(shù)資料
型號： BUK6246-75C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： POWER, FET
封裝： PLASTIC, DPAK, SC-63, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： BUK6246-75C
BUK6246-75C
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Product data sheet
Rev. 1 — 13 July 2011
8 of 14
NXP Semiconductors
BUK6246-75C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 11. Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
Fig 12. Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
003aad805
0
1
2
3
4
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max
typ
min
003aad806
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
max
typ
min
003aae876
25
50
75
100
0
5
10
15
20
25
I
D
(A)
R
DSon
(m
Ω
)
10.0
4.5
3.8
V
GS
(V) = 3.6
5.0
4.0
003aad804
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
相關PDF資料
PDF描述
BUK624R5-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK625R0-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK625R2-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK626R2-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6507-55C N-channel TrenchMOS logic and standard level FET
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參數(shù)描述
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