參數(shù)資料
型號(hào)： BUK6246-75C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： POWER, FET
封裝： PLASTIC, DPAK, SC-63, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/14頁(yè)
文件大小： 194K
代理商： BUK6246-75C
BUK6246-75C
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Product data sheet
Rev. 1 — 13 July 2011
5 of 14
NXP Semiconductors
BUK6246-75C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
5.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to mounting base
Conditions
see
Figure 4
Min
-
Typ
-
Max
2.52
Unit
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
003aae881
10
-2
10
-1
1
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
tp (s)
t
p
T
P
t
t
p
T
δ
=
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
single shot
Z
th(j-mb)
(K/W)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK624R5-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK625R0-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK625R2-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK626R2-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6507-55C N-channel TrenchMOS logic and standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK6246-75C,118 功能描述:MOSFET N-Chan 75V 22A 60W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK624R5-30C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V90ASOT428
BUK624R5-30C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK625R0-40C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH40V87ASOT428 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,87A,SOT428
BUK625R0-40C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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