- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄203637 > W987Z6CBG80 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W987Z6CBG80 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 20/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 1634K |
| 代理商： | W987Z6CBG80 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁當(dāng)前第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁
Preliminary W987Z6CB
Publication Release Date: June 24, 2002
- 27 -
Revision A1
Operating Timing Example, continued
Interleaved Bank Read (Burst Length = 8, CAS Latency = 3, Auto Precharge)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRCD
tRRD
ax0
ax1
ax2
ax3
ax4
ax5
ax6
ax7
by0
by1
by4
by5
by6
CZ0
RAa
CAx
RBb
CBy
(CLK = 100 MHz)
RAc
CAz
* AP is the internal precharge start timing
Active
Read
Active
Read
tCAC
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
Read
AP*
BS0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WA-1RVX051-A4 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH |
| WA-1RX12-A4 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH |
| WB3M200VD1R800 | 200 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT SINGLE PART CARD EDGE CONN, SURFACE MOUNT, PLUG |
| WB3F200VD1R1000 | 200 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT SINGLE PART CARD EDGE CONN, SURFACE MOUNT, RECEPTACLE |
| WB3F200VD1 | 200 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT SINGLE PART CARD EDGE CONN, SURFACE MOUNT, RECEPTACLE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W987Z6CBN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM |
| W988D2FB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256Mb Mobile LPSDR |
| W988D2FBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC LPSDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA |
| W988D2FBJX6I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256Mb Mobile LPSDR |
| W988D2FBJX7E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC LPSDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。