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參數(shù)資料
| 型號： | W9751G6JB-25A |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| 封裝： | 12.50 X 8 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 32/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1030K |
| 代理商： | W9751G6JB-25A |
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W9751G6JB
Publication Release Date: Mar. 10, 2010
- 38 -
Revision A02
9.4 ODT DC Electrical Characteristics
(0℃ ≤ TCASE ≤ 85℃ for -18/-25/-3, -40℃ ≤ TCASE ≤ 95℃ for 25I/25A, VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V)
PARAMETER/CONDITION
SYM.
MIN.
NOM.
MAX.
UNIT
NOTES
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=0,1; 75
Rtt1(eff)
60
75
90
Ω
1
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=1,0; 150
Rtt2(eff)
120
150
180
Ω
1
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=1,1; 50
Rtt3(eff)
40
50
60
Ω
1, 2
Deviation of VM with respect to VDDQ/2
Δ
VM
-6
+6
%
1
Notes:
1. Test condition for Rtt measurements.
2. Optional for DDR2-667, mandatory for DDR2-800 and DDR2-1066.
Measurement Definition for Rtt(eff):
Apply VIH (ac) and VIL (ac) to test pin separately, then measure current I(VIH (ac)) and I(VIL (ac))
respectively. VIH (ac), VIL (ac), and VDDQ values defined in SSTL_18.
Rtt(eff) = (VIH(ac) – VIL(ac)) /(I(VIHac) – I(VILac))
Measurement Definition for ΔVM:
Measure voltage (VM) at test pin (midpoint) with no load.
Δ
VM = ((2 x Vm / VDDQ) – 1) x 100%
9.5 Input DC Logic Level
(0℃ ≤ TCASE ≤ 85℃ for -18/-25/-3, -40℃ ≤ TCASE ≤ 95℃ for 25I/25A, VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V)
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
DC input logic HIGH
VIH(dc)
VREF + 0.125
VDDQ + 0.3
V
DC input logic LOW
VIL(dc)
-0.3
VREF - 0.125
V
9.6 Input AC Logic Level
(0℃ ≤ TCASE ≤ 85℃ for -18/-25/-3, -40℃ ≤ TCASE ≤ 95℃ for 25I/25A, VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V)
-18
-25/25I/25A/-3
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT
AC input logic HIGH
VIH (ac)
VREF + 0.200
VREF + 0.200
VDDQ + VPEAK1
V
AC input logic LOW
VIL (ac)
VREF - 0.200
VSSQ - VPEAK1
VREF - 0.200
V
Note:
1. Refer to the page 66 sections 9.14.1 and 9.14.2 AC Overshoot/Undershoot specification table for VPEAK value: maximum
peak amplitude allowed for Overshoot/Undershoot.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9751G8JB-18 | DDR DRAM, PBGA84 |
| W9812G21H-6I | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86 |
| W9812G21H-6C | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO86 |
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| W986416AH-10 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9751G6JB-3 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512MB DDRII |
| W9751G6KB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 4 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W9751G6KB-18 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W9751G6KB-25 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| W9751G6KB25A | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:Double Data Rate architecture: two data transfers per clock cycle |
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