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參數(shù)資料
| 型號： | W19B320ABB7G |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 26/53頁 |
| 文件大小： | 479K |
| 代理商： | W19B320ABB7G |
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W19B320AT/B
- 32 -
7.7 In-System Sector Protect/Unprotect Algorithms
START
PLSCNT=1
#RESET=VID
Wait 1 μ s
First Write
Cycle=60h?
Wait 150 μ s
Verity Sector
Protect:Write 40h
to sector address
with A6=0,
A1=1,A0=0
Set up sector
address
Yes
Sector Protect:
Write 60h to sector
address with
A6=0,A1=1,A0=0
Read from
sector address
with A6=0,
A1=1,A0=0
Remove V
from #RESET
ID
Write reset
command
Sector Protect
complete
Protect another
sector?
Data=01h?
Temporary Sector
Unprotect Mode
Increment
PLSCNT
=25?
No
Device failed
Yes
No
Reset
PLSCNT=1
START
PLSCNT=1
#RESET=VID
Wait 1 μ s
First Write
Cycle=60h?
Yes
All sectors
protected ?
Yes
Wait 15 mS
Verity Sector
Unprotect:Write 40h
to sector address
with A6=1,
A1=1,A0=0
Sector Unprotect:
Write 60h to any
address with
A6=1,A1=1,A0=0
Read from
sector address
with A6=1,
A1=1,A0=0
Remove V
from #RESET
ID
Write reset
command
Last sector
verified
Data=00h?
No
Yes
No
Set up first sector
address
Protect all sectors
The indicated portion
of the sector protect
algorithm must be
performed for all
unprotected sectors
prior to issuing the
first sector
unprotect address
Temporary Sector
Unprotect Mode
No
Increment
PLSCNT
=1000?
Device failed
Yes
Sector Unprotect
complete
Set up
next sector
address
Yes
Sector Protect
Algorithm
Sector Unprotect
Algorithm
No
Yes
No
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W19B320ATT7M | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| W3DG6416V10D1 | 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, ZMA144 |
| W3EG7266S265D3 | 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| WED3EG72M32S403JD3GG | 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184 |
| WED9LAPC2C16P8BI | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, PBGA153 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W19B320ABB7H | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W19B320ABT7H | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W19B320ATB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M × 8/2M × 16 BITS 3V FLEXIBLE BANK FLASH MEMORY |
| W19B320ATB7H | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W19B320ATT7H | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
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