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參數(shù)資料
| 型號： | VOICE-RECORD-RD |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 248/270頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | KIT REF DESIGN VOICE RECORD F41X |
| 標準包裝： | 1 |
| 主要目的： | 音頻，語音錄制/回放 |
| 嵌入式： | 是，MCU，8 位 |
| 已用 IC / 零件： | C8051F411-GM |
| 主要屬性： | MCU，87 秒，8 kHz， |
| 次要屬性： | 需要 Keil 編譯器和 USB 調(diào)試適配器 |
| 已供物品： | 板，電池，CD，耳機，電源 |
| 相關(guān)產(chǎn)品： | 336-1317-ND - KIT EVAL FOR C8051F411 |
| 其它名稱： | 336-1315 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁當前第248頁第249頁第250頁第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁第263頁第264頁第265頁第266頁第267頁第268頁第269頁第270頁
Rev. 1.1
79
C8051F410/1/2/3
Table 7.1. Voltage Reference Electrical Characteristics
VDD = 2.0 V; –40 to +85 °C unless otherwise specified.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Internal Reference (REFBE = 1)
Output Voltage
25 °C ambient (REFLV = 0)
25 °C ambient (REFLV = 1), VDD = 2.5 V
V
VREF Short-Circuit Current
—
3.0
—
mA
VREF Temperature Coefficient
—
35
—
ppm/°C
Load Regulation
Load = 0 to 200 A to GND
—
10
—
ppm/A
VREF Turn-on Time
VDD = 2.5 V, VREF = 1.5 V:
4.7 F tantalum, 0.1 F ceramic bypass
0.1 F ceramic bypass
VDD = 2.5 V, VREF = 2.2 V:
4.7 F tantalum, 0.1 F ceramic bypass
0.1 F ceramic bypass
—
2.5
55
6.8
144
—
ms
s
ms
s
Power Supply Rejection
—
2
—
mV/V
External Reference (REFBE = 0)
Input Voltage Range
0
—
VDD
V
Input Current
Sample Rate = 200 ksps; VREF = 2 V
—
5
—
A
Bias Generators
ADC Bias Generator
BIASE = ‘1’
—
22
—
A
Power Consumption (Internal)
—
50
—
A
1.47
2.16
1.5
2.2
1.53
2.24
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