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參數(shù)資料
| 型號： | VNW50N04A |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | 熱敏電阻 |
| 英文描述： | THERMISTOR, NTC; Series:B578; Thermistor type:NTC; Resistance:100kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:4540; Temperature, lower limit, beta value:25(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | “OMNIFET”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | VNW50N04A |
Thermal Impedance
Output Characteristics
Static Drain-Source On Resistance vs Input
Voltage
DeratingCurve
Transconductance
Static Drain-Source OnResistance
VNW50N04A
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNW50N04 | ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
| VO1815-3 | Peripheral IC |
| VO1814 | Peripheral IC |
| VO1815-1 | Peripheral IC |
| VO1815-2 | Peripheral IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VNW50N04A_04 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
| VNW50N04-E | 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VNY3 | 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:LVL SNSR COND 3 PROBE NYLON |
| VNYI3 | 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述: |
| VNYI4 | 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:Sensor, Conductive, Level Probe, 4 SS Insulated Electrodes, 1 Meter 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:CONDUCTIVE SENSORS |
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