參數(shù)資料
型號： VNN7NV04
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/29頁
文件大?。?/td> 488K
代理商： VNN7NV04
2/29
VNN7NV04 / VNS7NV04 / VND7NV04 / VND7NV04-1
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
CONNECTION DIAGRAM (TOP VIEW)
(*) For the pins configuration related to SOT-223, DPAK, IPAK see outlines at page 1.
CURRENT AND VOLTAGE CONVENTIONS
Symbol
Parameter
Value
SO-8
Unit
SOT-223
DPAK/IPAK
V
DS
V
IN
I
IN
R
IN MIN
I
D
I
R
V
ESD1
Drain-source Voltage (V
IN
=0V)
Input Voltage
Input Current
Minimum Input Series Impedance
Drain Current
Reverse DC Output Current
Electrostatic Discharge (R=1.5K
, C=100pF)
Electrostatic Discharge on output pin only
(R=330
, C=150pF)
Total Dissipation at T
c
=25°C
Maximum Switching Energy (L=0.7mH;
R
L
=0
; V
bat
=13.5V; T
jstart
=150oC; I
L
=9A)
Maximum Switching Energy (L=0.6mH;
R
L
=0
; V
bat
=13.5V; T
jstart
=150oC; I
L
=9A)
Operating Junction Temperature
Case Operating Temperature
Storage Temperature
Internally Clamped
Internally Clamped
+/-20
150
Internally Limited
-10.5
4000
V
V
mA
A
A
V
V
ESD2
16500
V
P
tot
7
4.6
60
W
E
MAX
40
40
mJ
E
MAX
37
mJ
T
j
T
c
T
stg
Internally limited
Internally limited
-55 to 150
°C
°C
°C
1
SO-8 Package (*)
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
INPUT
SOURCE
SOURCE
SOURCE
1
4
5
DRAIN
INPUT
SOURCE
I
D
I
IN
V
IN
V
DS
R
IN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNN7NV0413TR “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNK10N07FM ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VND5050K-E13TR Double channel high side driver with analog current sense for automotive applications
VND600TR-E DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VNQ5050KTR-E QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNN7NV04_10 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VNN7NV0413TR 功能描述:功率驅(qū)動器IC N-Ch 40V 6A OmniFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNN7NV04PTR-E 功能描述:MOSFET 40V 6A OMNIFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNN7NV04TR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC N-Ch 40V 6A OmniFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNP10N06 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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