參數資料
型號： VNN7NV04
廠商： 意法半導體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數： 14/29頁
文件大小： 488K
代理商： VNN7NV04
14/29
VNN7NV04 / VNS7NV04 / VND7NV04 / VND7NV04-1
SOT-223 Maximum turn off current versus load inductance
A = Single Pulse at T
Jstart
=150oC
B= Repetitive pulse at T
Jstart
=100oC
C= Repetitive Pulse at T
Jstart
=125oC
Conditions:
V
CC
=13.5V
Values are generated with R
L
=0
In case of repetitive pulses, T
jstart
(at beginning of each demagnetization) of every pulse must not exceed
the temperature specified above for curves B and C.
V
IN
, I
L
t
Demagnetization
Demagnetization
Demagnetization
1
10
100
0.01
0.1
1
10
L(mH)
I
LMAX (A)
A
B
C
相關PDF資料
PDF描述
VNN7NV0413TR “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNK10N07FM ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VND5050K-E13TR Double channel high side driver with analog current sense for automotive applications
VND600TR-E DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VNQ5050KTR-E QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS
相關代理商/技術參數
參數描述
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