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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V54C365164VCT8PC |
| 廠商： | MOSEL-VITELIC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/54頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1570K |
| 代理商： | V54C365164VCT8PC |
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V54C365164VC Rev. 0.8 July 2001
MOSEL VITELIC
V54C365164VC
4.2 Minimum Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 2)
4.3 Non-Minimum Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3, 4
COMMAND
NOP
BANK A
NOP
READ A
WRITE A
NOP
DQM
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
Must be Hi-Z before
the Write Command
tCK2, I/O’s
CAS latency = 2
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
ACTIVATE
1 Clk Interval
tDQZ
tDQW
: “H” or “L”
READ A
NOP
READ A
NOP
WRITE B
NOP
DQM
DIN B0
DIN B1
DIN B2
tCK1, I/O’s
CAS latency = 2
tCK2, I/O’s
CAS latency = 3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
COMMAND
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DOUT A1
DOUT A0
Must be Hi-Z before
the Write Command
tCK3, I/O’s
CAS latency = 4
tDQZ
tDQW
: “H” or “L”
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V55C2256164VBT10I | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| V55C3256164VGLK-10IPC | SYNCHRONOUS DRAM, PBGA54 |
| V55C3256164VGLK-7HPC | SYNCHRONOUS DRAM, PBGA54 |
| V580MC04 | VCO, 850 MHz - 890 MHz |
| V707S001 | VCO, 500 MHz - 1000 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V54C365164VD | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 225/200/166/143 MHz 3.3 VOLT 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM 4 BANKS X 1Mbit X 16 |
| V54C365324V | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT ULTRA HIGH PERFORMANCE 2M X 32 SDRAM 4 BANKS X 512Kbit X 32 |
| V54C365404VD | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 143/133/125 MHz 3.3 VOLT 16M X 4 SYNCHRONOUS DRAM 4 BANKS X 4Mbit X 4 |
| V54C365804VC | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 143/133/125 MHz 3.3 VOLT 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM 4 BANKS X 2Mbit X 8 |
| V54C365804VD | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 143/133/125 MHz 3.3 VOLT 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM 4 BANKS X 2Mbit X 8 |
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