參數(shù)資料
型號(hào)： UPD70F3757GJ-GAE-AX
廠商： Renesas Electronics America
文件頁數(shù)： 60/191頁
文件大?。?/td> 0K
描述： MCU 32BIT V850ES/HX3 144-LQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 300
系列： V850ES/Hx3
核心處理器： V850ES
芯體尺寸： 32-位
速度： 32MHz
連通性： CSI，EBI/EMI，I²C，UART/USART
外圍設(shè)備： DMA，LVD，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 128
程序存儲(chǔ)器容量： 512KB（512K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
RAM 容量： 32K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 3.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 24x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 144-LQFP
包裝： 托盤
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PIC32MX5XX/6XX/7XX
DS61156G-page 190
2009-2011 Microchip Technology Inc.
TABLE 31-9:
DC CHARACTERISTICS: I/O PIN OUTPUT SPECIFICATIONS
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions: 2.3V to 3.6V
(unless otherwise stated)
Operating temperature
-40°C
≤TA ≤+85°C for Industrial
-40°C
≤TA ≤+105°C for V-Temp
Param.
No.
Symbol
Characteristics
Min.
Typical
Max.
Units
Conditions
VOL
Output Low Voltage
DO10
I/O Ports
—
0.4
V
IOL = 7 mA, VDD = 3.6V
——
0.4
V
IOL = 6 mA, VDD = 2.3V
DO16
OSC2/CLKO
—
0.4
V
IOL = 3.5 mA, VDD = 3.6V
——
0.4
V
IOL = 2.5 mA, VDD = 2.3V
VOH
Output High Voltage
DO20
I/O Ports
2.4
—
V
IOH = -12 mA, VDD = 3.6V
1.4
—
V
IOH = -12 mA, VDD = 2.3V
DO26
OSC2/CLKO
2.4
—
V
IOH = -12 mA, VDD = 3.6V
1.4
—
V
IOH = -12 mA, VDD = 2.3V
TABLE 31-10: ELECTRICAL CHARACTERISTICS: BOR
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions: 2.3V to 3.6V
(unless otherwise stated)
Operating temperature
-40°C
≤TA ≤+85°C for Industrial
-40°C
≤TA ≤+105°C for V-Temp
Param.
No.
Symbol
Characteristics
Min.(1)
Typical
Max.
Units
Conditions
BO10
VBOR
BOR Event on VDD transition
high-to-low
2.0
—
2.3
V
—
Note 1:
Parameters are for design guidance only and are not tested in manufacturing.
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PDF描述
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