- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄1971 > UPD70F3757GJ-GAE-AX (Renesas Electronics America)MCU 32BIT V850ES/HX3 144-LQFP PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | UPD70F3757GJ-GAE-AX |
| 廠商： | Renesas Electronics America |
| 文件頁數(shù)： | 160/191頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 32BIT V850ES/HX3 144-LQFP |
| 標準包裝： | 300 |
| 系列： | V850ES/Hx3 |
| 核心處理器： | V850ES |
| 芯體尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 32MHz |
| 連通性： | CSI，EBI/EMI，I²C，UART/USART |
| 外圍設備： | DMA，LVD，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 128 |
| 程序存儲器容量： | 512KB（512K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 32K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 3.7 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 24x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 144-LQFP |
| 包裝： | 托盤 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁當前第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁
User’s Manual U18854EJ2V0UD
3
1
2
3
4
VOLTAGE APPLICATION WAVEFORM AT INPUT PIN
Waveform distortion due to input noise or a reflected wave may cause malfunction. If the input of the
CMOS device stays in the area between VIL (MAX) and VIH (MIN) due to noise, etc., the device may
malfunction. Take care to prevent chattering noise from entering the device when the input level is fixed,
and also in the transition period when the input level passes through the area between VIL (MAX) and
VIH (MIN).
HANDLING OF UNUSED INPUT PINS
Unconnected CMOS device inputs can be cause of malfunction. If an input pin is unconnected, it is
possible that an internal input level may be generated due to noise, etc., causing malfunction. CMOS
devices behave differently than Bipolar or NMOS devices. Input levels of CMOS devices must be fixed
high or low by using pull-up or pull-down circuitry. Each unused pin should be connected to VDD or GND
via a resistor if there is a possibility that it will be an output pin. All handling related to unused pins must
be judged separately for each device and according to related specifications governing the device.
PRECAUTION AGAINST ESD
A strong electric field, when exposed to a MOS device, can cause destruction of the gate oxide and
ultimately degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as
much as possible, and quickly dissipate it when it has occurred.
Environmental control must be
adequate. When it is dry, a humidifier should be used. It is recommended to avoid using insulators that
easily build up static electricity. Semiconductor devices must be stored and transported in an anti-static
container, static shielding bag or conductive material. All test and measurement tools including work
benches and floors should be grounded.
The operator should be grounded using a wrist strap.
Semiconductor devices must not be touched with bare hands. Similar precautions need to be taken for
PW boards with mounted semiconductor devices.
STATUS BEFORE INITIALIZATION
Power-on does not necessarily define the initial status of a MOS device. Immediately after the power
source is turned ON, devices with reset functions have not yet been initialized. Hence, power-on does
not guarantee output pin levels, I/O settings or contents of registers. A device is not initialized until the
reset signal is received. A reset operation must be executed immediately after power-on for devices
with reset functions.
POWER ON/OFF SEQUENCE
In the case of a device that uses different power supplies for the internal operation and external
interface, as a rule, switch on the external power supply after switching on the internal power supply.
When switching the power supply off, as a rule, switch off the external power supply and then the
internal power supply. Use of the reverse power on/off sequences may result in the application of an
overvoltage to the internal elements of the device, causing malfunction and degradation of internal
elements due to the passage of an abnormal current.
The correct power on/off sequence must be judged separately for each device and according to related
specifications governing the device.
INPUT OF SIGNAL DURING POWER OFF STATE
Do not input signals or an I/O pull-up power supply while the device is not powered. The current
injection that results from input of such a signal or I/O pull-up power supply may cause malfunction and
the abnormal current that passes in the device at this time may cause degradation of internal elements.
Input of signals during the power off state must be judged separately for each device and according to
related specifications governing the device.
NOTES FOR CMOS DEVICES
5
6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD720101GJ-UEN-A | HOST CTLR USB 2.0 144-LQFP |
| UPD720102F1-CA7-A | IC HOST CTLR USB2.0 3-PORT BGA |
| UPD720113GK-9EU-A | IC HUB CTLR USB2.0 7-PORTS QFP |
| UPD78F0394GC-8EA-A | MCU 8BIT 48KB FLASH |
| UPD78F1146AF1-AN1-A | MCU 16BIT 78K0R/KX3 64-FBGA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD70F3760GC-UEU-AX | 功能描述:MCU 32BIT V850ES/JX3-H 100-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:V850ES/Jx3-H 標準包裝:250 系列:80C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:EBI/EMI，I²C，UART/USART 外圍設備:POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):40 程序存儲器容量:- 程序存儲器類型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:68-LCC（J 形引線） 包裝:帶卷 (TR) |
| UPD70F3761GC-UEU-AX | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:32BIT, V850ES/JX3-H, 100PIN, P-LQFP - Trays 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Renesas Electronics UPD70F3761GC-UEU-AX Microcontrollers (MCU) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU 32BIT V850ES/JX3-H 100-LQFP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:V850ES Series 32 bit 48 kB RAM 384 kB Flash 48 MHz Microcontroller - LQFP-100 |
| UPD70F3762GC-UEU-AX | 功能描述:MCU 32BIT V850ES/JX3-H 100-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:V850ES/Jx3-H 標準包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285 |
| UPD70F3763GC-UEU-AX | 功能描述:MCU 32BIT V850ES/JX3-U 100-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:V850ES/Jx3-U 產(chǎn)品培訓模塊:CAN Basics Part-1 CAN Basics Part-2 Electromagnetic Noise Reduction Techniques Part 1 M16C Product Overview Part 1 M16C Product Overview Part 2 標準包裝:1 系列:M16C™ M32C/80/87 核心處理器:M32C/80 芯體尺寸:16/32-位 速度:32MHz 連通性:EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART 外圍設備:DMA，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):121 程序存儲器容量:384KB（384K x 8） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:24K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):3 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 34x10b，D/A 2x8b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-20°C ~ 85°C 封裝/外殼:144-LQFP 包裝:托盤 產(chǎn)品目錄頁面:749 (CN2011-ZH PDF) 配用:R0K330879S001BE-ND - KIT DEV RSK M32C/87 |
| UPD70F3764GC-UEU-AX | 功能描述:MCU 32BIT V850ES/JX3-U 100-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:V850ES/Jx3-U 產(chǎn)品培訓模塊:CAN Basics Part-1 CAN Basics Part-2 Electromagnetic Noise Reduction Techniques Part 1 M16C Product Overview Part 1 M16C Product Overview Part 2 標準包裝:1 系列:M16C™ M32C/80/87 核心處理器:M32C/80 芯體尺寸:16/32-位 速度:32MHz 連通性:EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART 外圍設備:DMA，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):121 程序存儲器容量:384KB（384K x 8） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:24K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):3 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 34x10b，D/A 2x8b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-20°C ~ 85°C 封裝/外殼:144-LQFP 包裝:托盤 產(chǎn)品目錄頁面:749 (CN2011-ZH PDF) 配用:R0K330879S001BE-ND - KIT DEV RSK M32C/87 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。