參數(shù)資料
型號(hào)： UPA678TB
廠商： NEC Corp.
英文描述： P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
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代理商： UPA678TB
Data Sheet G16607EJ1V0DS
5
μ
PA678TB
SWITCHING CHARACTERISTICS
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
t
d
,
r
,
d
,
f
10
100
1000
-0.01
-0.1
-1
-10
V
DD
=
10 V
V
GS
=
4.0 V
R
G
= 10
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
I
D
- Drain Current - A
I
F
0.001
0.01
0.1
1
10
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
GS
= 0 V
Pulsed
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
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PDF描述
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