參數(shù)資料
型號(hào)： UPA678TB
廠商： NEC Corp.
英文描述： P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 60K
代理商： UPA678TB
Data Sheet G16607EJ1V0DS
2
μ
PA678TB
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
=
20.0 V, V
GS
= 0 V
1.0
μ
A
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
=
m
12.0 V, V
DS
= 0 V
m
10
μ
A
Gate Cut-off Voltage
Note
V
GS(off)
V
DS
=
10.0 V, I
D
=
1.0 mA
0.8
1.3
1.8
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y
fs
|
V
DS
=
10.0 V, I
D
=
0.20 A
0.2
0.6
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
R
DS(on)1
V
GS
=
4.5 V, I
D
=
0.20 A
1.17
1.45
R
DS(on)2
V
GS
=
4.0 V, I
D
=
0.20 A
1.25
1.55
R
DS(on)3
V
GS
=
2.5 V, I
D
=
0.15 A
2.25
2.98
Input Capacitance
C
iss
V
DS
=
10.0 V
29
pF
Output Capacitance
C
oss
V
GS
= 0 V
15
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
f = 1.0 MHz
3
pF
Turn-on Delay Time
t
d(on)
V
DD
=
10.0 V, I
D
=
0.20 A
23
ns
Rise Time
t
r
V
GS
=
4.0 V
39
ns
Turn-off Delay Time
t
d(off)
R
G
= 10
50
ns
Fall Time
t
f
33
ns
Body Diode Forward Voltage
V
F(S-D)
I
F
= 0.25 A, V
GS
= 0 V
0.88
V
Note
Pulsed: PW
≤
350
μ
s, Duty cycle
≤
2%
TEST CIRCUIT SWITCHING TIME
PG.
R
G
0
V
GS(
)
D.U.T.
R
L
V
DD
τ
= 1 s
Duty Cycle
≤
1%
τ
GS
Wave Form
DS
Wave Form
V
GS(
)
V
DS(
)
10%
0
0
90%
90%
90%
V
GS
V
DS
t
on
t
off
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
10%
10%
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PDF描述
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