參數(shù)資料
型號(hào)： UPA2650T1E
廠商： NEC Corp.
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： MOS場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 208K
代理商： UPA2650T1E
Data Sheet G18749EJ1V0DS
6
μ
PA2650T1E
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
D
Ω
0
20
40
60
80
100
120
140
0
2
4
6
8
10
MOSFET1
Pulsed
1.5 A
I
D
= 3.0 A
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
D
Ω
0
20
40
60
80
100
120
140
0
2
4
6
8
10
MOSFET2
Pulsed
1.5 A
I
D
= 3.0 A
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
D
Ω
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
D
Ω
0
20
40
60
80
100
120
140
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
MOSFET1
I
D
= 3.0 A
Pulsed
V
GS
= 4.5 V
10 V
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
0
20
40
60
80
100
120
140
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
MOSFET2
I
D
= 3.0 A
Pulsed
V
GS
= 4.5 V
10 V
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
i
,
o
,
r
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
V
GS
= 0 V
f = 1.0 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
d
,
r
,
d
,
f
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 10
Ω
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
I
D
- Drain Current - A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA2680T1E MOSFET WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE
UPA2716GR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2717GR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2718GR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2719GR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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