參數(shù)資料
型號： UPA2650T1E
廠商： NEC Corp.
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： MOS場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 208K
代理商： UPA2650T1E
Data Sheet G18749EJ1V0DS
2
μ
PA2650T1E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
MOSFET1, MOSFET2
Drain to Source Voltage (V
GS
= 0 V)
V
DSS
20
V
Gate to Source Voltage (V
DS
= 0 V)
Drain Current (DC)
Note1
Drain Current (pulse)
Note2
Total Power Dissipation
Note1
V
GSS
±
12
V
I
D(DC)
±
3.8
A
I
D(pulse)
±
15.2
A
P
T
1.1
W
Channel Temperature
T
ch
150
°
C
Storage Temperature
Notes 1.
Mounted on a 1 in
2
pad of 2 oz copper, 1.5" x 1.5" x 0.062" thick FR-4 board
(Cu pad: 322 mm
2
x 70
μ
m, FR-4: 1452 mm
2
x 1.6 mmt)
2.
PW
≤
10
μ
s, Duty Cycle
≤
1%
T
stg
55 to
+
150
°
C
FET side: 97
°
C/W when mounted on a 1 in
2
pad of 2 oz copper
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PDF描述
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