參數(shù)資料
型號: UPA1757
廠商: NEC Corp.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述: N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 58K
代理商: UPA1757
4
μ
PA1757
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature -C
R
D
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
F
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
1
0.1
0
- 50
10
0
50
100
150
I
D
= 3.5A
0.1
0
1
10
100
0.5
10
0.1
100
1000
10000
1
10
100
10
100
1 000
1
10
100
V
G
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
F
- Diode Current - A
t
r
1
0.1
10
1
10
100
1.0
1.5
V
DD
=10V
V
GS(on)
= 4V
R
G
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
40
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
4
8
12
16
10
20
30
2
4
6
8
0
20
40
30
V
DD
=16V
10V
4V
V
GS
V
DS
t
d(off)
t
d(on)
t
r
t
f
1 000
100
I
D
=7.0A
Pulsed
V
= 0
f = 1 MHz
di/dt =100A/
V
GS
= 0
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=0
C
iss
C
oss
C
rss
μ
s
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