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參數(shù)資料
| 型號： | UPA1757 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | UPA1757 |
2
μ
PA1757
Electrical Characteristics (T
A
= 25 °C)
Characteristics
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
R
DS(on)1
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 3.5 A
16.2
23
m
Drain to source on-state resistance
R
DS(on)2
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 3.5 A
22
32
m
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
V
DS
= 10 V, I
D
= 1.0 mA
0.5
0.8
1.5
V
Forward transfer admittance
| y
fs
|
V
DS
= 10 V, I
D
= 3.5 A
5.0
13
S
Drain leakage current
I
DSS
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
10
μ
A
Gate to source leakage current
I
GSS
V
GS
= ±12.0 V, V
DS
= 0 V
±10
μ
A
Input capacitance
C
iss
750
pF
Output capacitance
C
oss
420
pF
Reverse transfer capacitance
C
rss
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
140
pF
Turn-on delay time
t
d(on)
57
ns
Rise time
t
r
206
ns
Turn-off delay time
t
d(off)
593
ns
Fall time
t
f
I
D
= 3.5 A
V
GS(on)
= 4.0 V
V
DD
= 10 V
R
G
= 10
815
ns
Total gate charge
Q
G
13.0
nC
Gate to source charge
Q
GS
2.6
nC
Gate to drain charge
Q
GD
I
D
= 7.0 A
V
DD
= 16 V
V
GS
= 4.0 V
5.3
nC
Body diode forward voltage
V
F(S-D)
I
F
= 7.0 A, V
GS
= 0 V
0.75
V
Test circuit 1 Switching time Test circuit 2 Gate charge
PG.
R
0
V
GS
D.U.T.
R
L
V
DD
τ
= 1 s
Duty Cycle
≤
1 %
GS
Wave Form
I
D
Wave Form
V
GS
10 %
90 %
V
GS(on)
10 %
0
I
D
90 %
90 %
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
10 %
τ
R
G
= 10
I
D
0
t
on
t
off
PG.
50
D.U.T.
R
L
V
DD
I
G
= 2 mA
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