參數(shù)資料
型號： UML4N
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose transistor
中文描述： 通用晶體管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 82K
代理商： UML4N
UML4N
Transistors
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Di1
Parameter
Symbol
I
O
I
FSM
V
R
Tj
Tstg
55 to
+
125
°
C
Range of storage temperature
Tr2
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
Pd
Tj
Tstg
55 to
+
125
°
C
Each terminal mounted on a recommended land.
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Di1
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
0.50
V
R
0.40
Forward voltage
I
R
4.0
30
Reverse current
Tr2
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
BV
CEO
12
BV
CBO
15
BV
EBO
6
I
CBO
100
I
EBO
100
V
CE(sat)
100
250
h
FE
270
680
Transition frequency
Collector output capacitance
z
Electrical characteristic curves
Di1
1
10m
Ta
=
125
°
C
Rev.A
2/3
Limits
200
1
30
125
Unit
mA
A
V
°
C
Average rectified forward current
F
orward current surge peak (60H
Z
,
1
∞
)
Reverse voltage (DC)
Junction temperature
Limits
15
12
6
500
1
120
150
Unit
V
V
V
mA
A
mW
°
C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Unit
V
μ
A
Conditions
I
F
=200mA
V
R
=10V
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0mA, f
=
1MHz
f
T
260
6.5
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
10mA, f
=
100MHz
I
C
=
1mA
I
C
=
10
μ
A
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
I
C
=
200mA, I
B
=
10mA
V
CE
=
2V, I
C
=
10mA
Cob
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
1
μ
10
μ
100
μ
1m
10m
100m
F
F
FORWARD VOLTAGE : V
F
(V)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
C
°
5
2
1
=
a
T
C
°
5
7
C
°
5
2
C
°
5
2
Fig.1 Forward characteristics
10n
100n
1
μ
10
μ
100
μ
1m
R
R
REVERSE VOLTAGE : V
R
(V)
0
10
20
30
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Fig.2 Reverse characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UMP1N SWITCHING DIODE
UMR12N Switching diode Silicon epitaxial planar
UMT2222A NPN Medium Power Transistor (Switching)
UMT3904 NPN General Purpose Transistor
UMT4403 PNP Medium Power Transistor (Switching)(PNP中等功率晶體管(開關(guān)))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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UML4NTR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 200MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
UML5 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
UML5_07 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
UML6N 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistor (isolated transistor and diode)
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