參數(shù)資料
型號(hào)： UMF22N
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power management (dual transistors)
中文描述： 電源管理（）雙晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 66K
代理商： UMF22N
EMF22 / UMF22N
Transistors
3/4
z
Electrical characteristic curves
Tr1
0
1
100
1000
10
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
C
C
(
1.4
1.0
1.2
0.4
0.6
0.8
0.2
V
CE
=
2V
Pulsed
T
=
1
°
C
T
=
2
°
C
T
=
4
°
C
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.2
DC current gain vs.
collector current
1
D
F
10
1000
100
Ta
=
125
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
Pulsed
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.3
Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
Ι
)
1
C
C
(
10
1000
100
Ta
=
25
°
C
Pulsed
I
C
/I
B
=
50
I
C
/I
B
=
20
I
C
/I
B
=
10
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
ΙΙ
)
1
C
C
(
10
1000
100
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
125
°
C
I
C
/I
B
=
20
Pulsed
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
10
B
B
100
10000
1000
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
125
°
C
I
C
/I
B
=
20
Pulsed
1
10
100
1000
EMITTER CURRENT : I
E
(mA)
Fig.6
Gain bandwidth product
vs. emitter current
1
T
T
(
10
1000
100
V
CE
=
2V
Ta
=
25
°
C
Pulsed
1
10
100
0.1
10
100
1000
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
C
E
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(
V)
Fig.7
Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
Cib
Cob
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UMF24N 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power management (dual trnasistors)
UMF24NTR 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 COMPLEX BIOPLAR NPN+DTR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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