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參數(shù)資料
| 型號： | U423 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-40V，柵極工作電流-0.25pA的單片雙N溝道結型場效應管) |
| 中文描述： | 單片雙N溝道場效應（最小柵源擊穿電壓- 40V的，柵極工作電流，0.25pA的單片雙?溝道結型場效應管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | U423 |
U421/423
Siliconix
P-37514—Rev. B, 25-Jul-94
5
Typical Characteristics (Cont’d)
Common-Source Input Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
2
10
100
1 k
100 k
10 k
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
C
i
V
DS
= 0 V
5 V
10 V
f = 1 MHz
0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
–20
–4
–8
–12
–16
Common-Source Reverse Feedback
Capacitance vs. Gate-Source Voltage
–
C
r
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
DS
= 0 V
5 V
10 V
f = 1 MHz
1
0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–20
–4
–8
–12
–16
Output Conductance vs. Drain Current
I
D
– Drain Current ( A)
V
GS(off)
= –1 V
T
A
= –55 C
125 C
10
100
1000
1
0
0.8
0.6
0.4
0.2
Equivalent Input Noise Voltage vs. Frequency
f – Frequency (Hz)
V
DS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
D
= 100 A
50
0
40
30
20
10
10
100
1000
Common-Source Forward Transconductance
vs. Drain Current
I
D
– Drain Current ( A)
g
f
T
A
= –55 C
125 C
1
0
0.8
0.6
0.4
0.2
On-Resistance and Output Conductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
r
DS
@ I
D
= 10 A, V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V, f = 1 kHz
r
DS
g
os
20
16
0
12
8
4
5
0
4
3
2
1
0
–5
–1
–2
–3
–4
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
= –1 V
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
25 C
S
g
f
(
e
n
/
√
)
–
r
D
–
)
S
g
–
25 C
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PDF描述 |
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