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參數(shù)資料
| 型號： | TT200F |
| 英文描述： | SCR / Diode Modules |
| 中文描述： | SCR /二極管模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | TT200F |
TT 200 F
1ms
600
400
200
100
60
40
20
10
6
4
2
1
10 kA
6000
2000
1000
600
400
200
100
60
40
20
10
[
A
]
i
T
t [μs]
P
TT
+ P
T
=100kW
Bild / Fig. 13
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaverlust-
leistung (P
+ P
) je Zweig.
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (P
TT
+ P
T
).
T 290 F3/13
40 W
60 W
100 W
200 W
400 W
600 W
1 kW
2 kW
4 kW
6 kW
10 kW
20 kW
40 kW
60 kW
4
2
8
6
10
2
4
10
8
[A]
TM
i
4
2
40
10
3
60
100
200
μs
400 600
1
2
4
6
10
ms
t
w
W
=
6 Ws
mWs
60
40
1
2
4
10
20
0,1 Ws
0,2
0,4
0,6
20 Ws
Bidl / Fig. 14
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie W
tot
für einen sinusfrmigen
Durchla-Strompuls für einen Zweig.
Diagram for the determination of the total energy W
tot
for a sinusoidal
on-state current pulse for one arm.
Lastkreis/load circuit:
v
DM
≤
0,67 V
DRM
v
RM
≤
50 V
dv
R
/dt
≤
100 V/μs
RC-Glied/RC network:
R
[
]
≥
0,02 . v
DM
[
V
]
C
≤
0,22μF
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 1 A, t
a
= 1μs
T 280 F4/14
10
20
40 60
100
mA
200
400 600
1
2
4
6
10
A
i
G
20
15
[
V
]
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
v
G
0,8
8
T 670 F21/15
Bild / Fig. 15
Zündbereich und Spitzensteuerleistung bei v
= 6V.
Gate characteristic and peak power dissipation at v
= 6V.
Parameter: a b c
g
[ms] 10 1 0,5
Steuerimpulsdauer/Pulse duration t
Hchstzulssige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W] 20 40 60
a
b
c
Bild / Fig. 16
Zündverzug/Gate controlled delay time t
gd
,
DIN 41787, t
= 1 μs, t
= 25°C.
a - auerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
R
C
i
TM
i
T
10
20
40 60
100
mA
200
400 600
1
2
4
6
10
A
i
G
100
60
20
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
0,1
[μs]
t
gd
a
b
T 195 F17/16
0
200
150
100
50
[
μAs
]
Q
r
800
- di
T
/dt
[
A/μs
]
20 A
50 A
100 A
i
TM
= 1000 A
200
400
600
1000
TT 200 F 08...13
Bild / Fig. 17
Sperrverzgerungsladung Q
r
= f(di/dt)
t
= t
, v
= 0,5 V
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlastrom I
TM
/
Recovert charge Q
= f(di/dt)
t
= t
, vR = 0,5 V
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: on-state current I
TM
200 A
500 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| TT2066 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 24A I(C) | TO-247VAR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| TT200F12KEC | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1200V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TT200F12KFC | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1200V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TT200F12KSC | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1200V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TT200F13KEC | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1300V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
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