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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TT200F |
| 英文描述： | SCR / Diode Modules |
| 中文描述： | SCR /二極管模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | TT200F |
TT 200 F, TD 200 F, DT 200 F
Elektrische Eigenschaften
Hchstzulssige Werte
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-
Spitzensperrspannung
Vorwrts-Stospitzenspannung
Electrical properties
Maximum rated values
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
non-repetitive peak forward off-state
voltage
non-repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40°C...t
vj max
V
DRM
, V
RRM
800 1000 1100 1200
1300
V
t
vj
= -40°C...t
vj max
V
DSM
= V
DRM
Rückwrts-Stospitzenspannung
t
vj
= +25°C...t
vj max
t
c
= 85°C
t
c
= 68°C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
V
D
≤
67%V
DRM
, f
0
=50Hz
I
GM
=1A, di
G
/dt=1A/μs
V
RSM
= V
RRM
I
TRMSM
I
TAVM
+ 100
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
RMS on-state current
average on-state current
410
200
261
7200
6400
A
A
A
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
I
TSM
Grenzlastintegral
∫
I
2
t-value
∫
I
2
t
260000
205000
A
2
s
A
2
s
A/μs
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
(di
T
/dt)
cr
200
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage t
vj
= t
vj max
, V
D
= 67% V
DRM
(dv
D
/dt)
cr
1) 2)
6.Kennbuchstabe/6th letter B
6.Kennbuchstabe/6th letter C
6.Kennbuchstabe/6th letter L
6.Kennbuchstabe/6th letter M
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 700 A
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V, R
A
= 10
t
vj
= 25 °C,v
D
= 6 V, R
GK
> = 20
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/μs, t
g
= 10 μs
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
t
vj
= 25°C, i
GM
=1 A, di
G
/dt =1 A/μs
siehe techn. Erl./see Techn. Inf.
50 50
500 500
500 50
1000 500
V/μs
V/μs
V/μs
V/μs
Charakteristische Werte
Durchlaspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
v
T
V
T(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
max. 1,8
V
V
1,2
0,75
m
mA
max. 250
max. 2,2
max. 10
max. 0,2
max. 250
max. 1
V
mA
V
mA
A
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse
currents
i
D
, i
R
max. 50
mA
Zündverzug
Freiwerdezeit
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
t
gd
max. 1,2
max. 18
max. 20
max. 25
μs
μs
μs
μs
kV
t
q
, S:
E:
F:
Isolations-Prüfspannung
Thermische Eigenschaften
Innerer Wrmewiderstand
insulation test voltage
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
V
ISOL
3
Θ
=180°el. sin: pro Modul/per module R
thJC
pro Zweig/per arm
DC: pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
max. 0,065
max. 0,13
max. 0,062
max. 0,124
max. 0,02
max. 0,04
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
übergangs-Wrmewiderstand
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
Mechanische Eigenschaften
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmomente
mechanische Befestigung
elektrische Anschlüsse
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
tightening torques
mounting torque
terminal connection torque
R
thCK
t
vj max
t
c op
t
stg
125
°C
°C
°C
-40...+125
-40...+130
AIN
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
6
Nm
Nm
12
Gewicht
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
Mabild
1)
Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
2)
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit. / Immediately after turn-off time.
Daten der Dioden siehe unter DD 242 S bei V
RRM
≤
1000 V und DD 241 S bei V
RRM
≥
1200 V
For data of the diode refer to DD 242 S at V
RRM
≤
1000 V and DD 241 S at V
RRM
≥
1200 V
TT 200 F, TD 200 F, DT 200 F knnen auch mit gemeinsamer Anode oder gemeiensamer Kathode geliefert werden.
TT 200 F, TD 200 F, DT 200 F can also be supplied with common anode or common cathode.
weight
creepage distance
vibration resistance
outline
G
typ. 800
g
17
mm
m/s2
f = 50 Hz
5
9,81
8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TT2050 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-247VAR |
| TT2054 | BJT |
| TT2066 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 24A I(C) | TO-247VAR |
| TT2068 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-247VAR |
| TT2084LS | BJT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TT200F10KEC | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1000V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TT200F12KEC | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1200V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TT200F12KFC | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1200V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TT200F12KSC | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1200V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TT200F13KEC | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1300V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
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