參數(shù)資料
型號(hào)： TT200F
英文描述： SCR / Diode Modules
中文描述： SCR /二極管模塊
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 231K
代理商： TT200F
TT 200 F
4
2
8
6
2
4
8
[A]
TM
i
40
60
100
200
μs
400 600
1
2
4
6
10
ms
t
w
± di
/dt = 100 A/μs
Parameter:
W
tot
[
Ws
]
T 290 F16/12
0,1
0,3
0,4
0,6
1
2
4
6
10
20
0,15
0,2
0,12
Bild / Fig. 10, 11, 12
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W
tot
für einen trapezfrmigen
Durchla-Strompuls, für einen Zweig bei:
der angegebenen Stromsteilheit di
/dt,
Vorwrts-Sperrspannung v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
Rückwrts-Sperrspannung v
≤
0,67V
RRM
,
Spannungssteilheit dv
R
/dt
≤
600 V/μs.
Diagram for the determination of the total energy W
tot
for a
trapezoidal current pulse for one arm at:
given rate of rise of on-state current di
T
/dt,
forward off-state voltage v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
maximum reverse voltage v
≤
0.67 V
,
rate of rise of off-state voltage dv
R
/dt
≤
600 V/μs.
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 1 A, t
a
= 1μs
RC-Glied/RC network:
R
[
]
≥
0,02 . v
DM
[
V
]
C
≤
0,33μF
4
2
8
6
2
4
8
[A]
10
3
± di
/dt = 50 A/μs
Parameter:
W
tot
[
Ws
]
T 290 F15/11
mWs
0,1
0,2
0,15
0,4
0,6
1
2
4
6
10
60
20
80
4
2
8
6
2
4
8
[A]
± di
/dt = 25 A/μs
Parameter:
W
tot
[
Ws
]
T 290 F14/10
40
60
0,1
0,2
0,4
0,6
1
2
4
6
10
20
80
0,15
10
4
10
2
10
3
10
4
TM
i
10
4
10
3
10
2
10
2
TM
i
t
w
t
i
TM
i
T
di
T
/dt
-di
T
/dt
R
C
4
2
8
6
10
2
4
10
8
[A]
TM
i
4
2
40
10
3
60
100
200
μs
400 600
1
2
4
6
10
ms
t
w
± di
/dt = 100 A/μs
Parameter:
W
tot
[
Ws
]
T 195 F13/9
Bild / Fig. 7, 8, 9
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W
tot
für einen trapezfrmigen
Durchla-Strompuls, für einen Zweig bei:
der angegebenen Stromsteilheit di
/dt,
Vorwrts-Sperrspannung v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
Rückwrts-Sperrspannung v
≤
50V,
Spannungssteilheit dv
R
/dt
≤
100 V/μs.
60
0,1
0,2
0,4
0,6
1
2
4
6
10
20
Diagram for the determination of the total energy W
tot
for a
trapezoidal current pulse for one arm at:
given rate of rise of on-state current di
T
/dt,
forward off-state voltage v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
maximum reverse voltage v
≤
50 V,
rate of rise of off-state voltage dv
R
/dt
≤
100 V/μs.
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 1 A, t
a
= 1μs
RC-Glied/RC network:
R
[
]
≥
0,02 . v
DM
[
V
]
C
≤
0,33μF
4
2
8
6
10
2
4
10
8
[A]
TM
i
4
2
10
3
± di
T
/dt = 50 A/μs
Parameter:
W
tot
[
Ws
]
T 195 F14/8
40
60
0,1
0,2
0,4
0,6
1
2
4
6
10
20
4
2
8
6
2
4
8
[A]
TM
i
± di
/dt = 25 A/μs
Parameter:
W
tot
[
Ws
]
40
60
0,1
0,2
0,4
0,6
1
2
4
6
10
20
T 195 F11/7
10
4
10
3
10
2
t
w
t
i
TM
i
T
di
T
/dt
-di
T
/dt
R
C
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