參數(shù)資料
型號： TP0610KL
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： P通道60 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： TP0610KL
TP0610KL/BS250KL
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72712
S-40244—Rev. A, 16-Feb-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
Threshold Voltage Variance Over Temperature
0.5
V
V
0.3
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
T
J
Junction Temperature ( C)
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.01
0
1
16
20
100
600
0.1
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
12
4
8
10
For the following graphs, p-channel negative polarities for all voltage and current values are represented as positive values.
Safe Operating Area
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
10
0.1
0.1
1
10
100
0.001
1
T
= 25 C
Single Pulse
I
D
0.01
I
Limited
I
Limited
r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
1 ms
10 ms
100 ms
dc
10 s
1 s
相關PDF資料
PDF描述
TP0610K P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
TP0610L CONNECTOR ACCESSORY
TP0610T CONNECTOR ACCESSORY
TP0610T CONNECTOR ACCESSORY
TP0610L P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-60V，夾斷電流-0.18A的P溝道增強型MOSFET晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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TP0610KL-TR1-E3 功能描述:MOSFET 60V 0.27A 0.8W 10ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP0610K-T1 功能描述:MOSFET 60V 0.185A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP0610K-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 0.185A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP0610K-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 0.185A 350mW 10ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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