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參數資料
| 型號： | TMS664414DGE-8A |
| 英文描述： | SDRAM|4X4MX4|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內存| 4X4MX4 |的CMOS |的TSOP | 54PIN |塑料 |
| 文件頁數： | 42/56頁 |
| 文件大小： | 958K |
| 代理商： | TMS664414DGE-8A |
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TMS664414, TMS664814, TMS664164
4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK
SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
SMOS695A – APRIL 1998 – REVISED JULY 1998
42
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
CKE
CS
A0–A9
A10
A11
A12
A13
W
CAS
RAS
DQMx
DQ
CLK
C1
C0
R1
R1
R1
R0
R0
R0
g
f
e
d
c
b
a
READ-P_0
WRT-P_3
ACTV_0
ACTV_3
tRRD
tRCD
nCWL
BURST
TYPE
BANK
ROW
BURST CYCLE
(D/Q)
(0–3)
ADDR
a
b
c
d
e
f
g
h
D
3
R0
C0
C0+1
C0+2
C0+3
Q
0
R1
C1
C1+1
C1+2
C1+3
Column-address sequence depends on programmed burst type and starting addresses C0 and C1 (see Table 5).
NOTE A: This example illustrates minimum nCWL,tRRD, and tRCD for the ’664xx4 at 125 MHz.
Figure 32. Write-Burst Bank 3, Read-Burst Bank 0 With Automatic Deactivate
(CAS latency = 3, burst length = 4)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS664814DGE-10 | SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS664814DGE-8 | SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS664814DGE-8A | SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS6708-20DJ | x4 SRAM |
| TMS6708-25DJ | x4 SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TMS664814 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS66481410 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS6648148 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS6648148A | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS664814DGE-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
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