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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TMS664414DGE-8A |
| 英文描述： | SDRAM|4X4MX4|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內(nèi)存| 4X4MX4 |的CMOS |的TSOP | 54PIN |塑料 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/56頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 958K |
| 代理商： | TMS664414DGE-8A |
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TMS664414, TMS664814, TMS664164
4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK
SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
SMOS695A – APRIL 1998 – REVISED JULY 1998
17
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
interrupted bursts (continued)
CLK
DQ
READ
Command
(see Note A)
D
Q
Q
nCCD = 1
a) INTERRUPTED ON EVEN CYCLES
b) INTERRUPTED ON ODD CYCLES
CLK
DQ
READ Command
(see Note A)
D
D
Q
Q
nCCD = 2
WRT Command
(see Note A)
WRT
Command
(see Note A)
Q
NOTE A: For this example, assume CAS latency = 2, burst length > 2.
Figure 6. Write Burst Interrupted by Read Command
DQ
CLK
C1 + 3
C1 + 2
C1 + 1
C1
C0 + 1
C0
nCCD = 2
WRT Command
at Column Address C0
(see Note A)
Interrupting
WRT-P Command
NOTE A: For this example, burst length > 2.
Figure 7. Write Burst Interrupted by Write Command
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| TMS664814DGE-8A | SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
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| TMS6708-25DJ | x4 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| TMS66481410 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS6648148 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS6648148A | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS664814DGE-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
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