參數(shù)資料
型號： TISPPBL3DR-S
廠商： BOURNS INC
元件分類： 保護(hù)電路
英文描述： DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC)
中文描述： TELECOM, SURGE PROTECTION CIRCUIT, PDSO8
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-012, SO-8
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大小： 356K
代理商： TISPPBL3DR-S
OCTOBER 2000 - REVISED FEBRUARY 2005
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
Parameter Measurement Information
TISPPBL3 Programmable Protector
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
Figure 3 TEST CIRCUIT FOR MEASUREMENT OF LIMITING VOLTAGE
RS
40
Hi
V
B
(V
GG
)
AI6XBACE
IMPULSE
CURRENT
I
T
, I
F
LIMITING
VOLTAGE
V
K
, V
F
Lo
DUT
(TISPPBLx)
C1
220 nF
RS = ONE SECTION OF A BOURNS
4B04B-523-400 OR A
4B04B-524-400 LINE FEED
RESISTOR NETWORK
ECAT WITH E505
2/10 OUTPUT NETWORK
I
G
Th4
Th5
Thermal Information
Figure 4
PEAK NON-RECURRING AC
vs
CURRENT DURATION
t — Current Duration — s
0.01
0.1
1
10
100
1000
I
T
0.5
0.6
0.7
1.5
2
3
4
5
6
7
8
15
20
1
10
V
GG
= -60 V
V
GG
= -80 V
V
GG
= -100 V
V
GG
= -120 V
RING AND TIP TERMINALS:
Equal I
TSM
values applied
simultaneously
GROUND TERMINAL:
Current twice I
TSM
value
EIA /JESD51
Environment and
PCB, T
A
= 25
°
TI61AF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TISPPBL3D-S DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC)
TITAN19244 Semiconductor Solutions for High Speed Communications and Fiber Optic Applications
TL054AIN ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS
TL05 ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS
TL051AMFK ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TISPPBL3D-S 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL3-S 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL3SE 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL3SE-S 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPTH12000WAH 制造商:Texas Instruments 功能描述:
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