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參數(shù)資料
| 型號： | TISPPBL1D |
| 廠商： | Power Innovations International, Inc. |
| 英文描述： | DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS |
| 中文描述： | 雙遠期導電的P -門晶閘管愛立信成分SLIC組件 |
| 文件頁數(shù)： | 15/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 364K |
| 代理商： | TISPPBL1D |
15
AUGUST 1997 - REVISED DECEMBER 1999
TISPPBL1D, TISPPBL1P TISPPBL2D, TISPPBL2P
DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS
FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
Earlier protection recommendations
The table below lists the protection recommendations from earlier versions of the TISPPBLx data sheet.
SLIC
TISPPBL1
< 55 mA
TISPPBL2
"
"
"
"
"
"
"
"
"
"
"
"
"
PBL 3796
PBL 3796/2
< 55 mA
PBL 3798
< 55 mA
PBL 3798/2
< 55 mA
PBL 3798/5
< 55 mA
"
!
!
"
"
"
"
"
PBL 3798/6
PBL 3799
PBL 3799/2
PBL 386 20/1
PBL 386 21/1
PBL 386 30/1
PBL 386 40/1
PBL 386 50/1
Product Change Notification 109 21-PBL 386 xx/1-1 Uen of 06-06-1999 improved
the silicon design of the PBL 386 20/1, PBL 386 21/1, PBL 386 30/1, PBL 386 40/1
and PBL 386 50/1. These improved devices are designated by a /2 as PBL 386 20/2,
PBL 386 21/2, PBL 386 30/2, PBL 386 40/2 and PBL 386 50/2 respectively.
Use TISPPBL2 when programmed line current is above 55 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TISPPBL1P | DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS |
| TISPPBL2D | DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS |
| TISPPBL2P | DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS |
| TISPPBL2SD | PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS FOR ERICSSON COMPONENTS PBL 3xxx SLICS |
| TISPPBL2SDR | PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS FOR ERICSSON COMPONENTS PBL 3xxx SLICS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TISPPBL1DR | 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TISPPBL1DR-S | 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TISPPBL1D-S | 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TISPPBL1P | 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TISPPBL1P-S | 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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