參數(shù)資料
型號： TISPPBL1D
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS
中文描述： 雙遠期導(dǎo)電的P -門晶閘管愛立信成分SLIC組件
文件頁數(shù)： 13/19頁
文件大?。?/td> 364K
代理商： TISPPBL1D
13
AUGUST 1997 - REVISED DECEMBER 1999
TISPPBL1D, TISPPBL1P TISPPBL2D, TISPPBL2P
DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS
FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
application circuit
Figure 18 shows a typical TISPPBLx SLIC card protection circuit. The incoming line conductors, R and T,
connect to the relay matrix via the series over-current protection. Fusible resistors, fuses and positive
temperature coefficient (PTC) resistors can be used for over-current protection. Resistors will reduce the
prospective current from the surge generator for both the TISPPBLx and the ring/test protector. The
Figure 16 SLIC VOLTAGE RATINGS
Figure 17 SLIC VOLTAGE RATINGS AND TISPPBLx PROTECTION LEVELS
Time
AI6XBDD
V
VBat - 70
VBat - 60
VBat - 50
VBat - 40
VBat - 30
VBat - 20
VBat - 10
VBat
SLIC GROUP VOLTAGE RATINGS
vs
TIME
0
10
20
30
40
PBL 386 20/2 GROUP
PBL3762A/2 AND
PBL3766 GROUPS
1 μs
0.25 μs
PBL3762A/2 AND
PBL386 20/2 GROUPS
PBL 3766 GROUP
10 ms
Time
SLIC MINIMUM VOLTAGE WITHSTAND
AND TISPPBLx VOLTAGE LIMITING
vs
TIME
0
10
20
30
40
AI6XBC
V
TISPPBLx
TISPPBLx
V
BAT
- 40
V
BAT
- 30
V
BAT
- 20
V
BAT
- 10
V
BAT
1 μs
0.25 μs
10 ms
0.7 V ISOLATION DIODE (D1)
VOLTAGE DROP FROM V
Bat
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TISPPBL1P DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS
TISPPBL2D DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS
TISPPBL2P DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS
TISPPBL2SD PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS FOR ERICSSON COMPONENTS PBL 3xxx SLICS
TISPPBL2SDR PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS FOR ERICSSON COMPONENTS PBL 3xxx SLICS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TISPPBL1DR 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL1DR-S 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL1D-S 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL1P 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL1P-S 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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