參數(shù)資料
型號: THN6501E
廠商: Tachyonics CO,. LTD.
英文描述: NPN SiGe RF TRANSISTOR
中文描述: npn型硅鍺射頻晶體管
文件頁數(shù): 3/15頁
文件大?。?/td> 242K
代理商: THN6501E
THN6501 Series
Total Power Dissipation, P
T
vs. T
A
I
C
vs. V
CE
I
C
vs. V
BE
h
FE
vs. I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
I
C
[
I
B
= 100
0
50
100
150
200
250
0
25
50
75
100
125
150
P
T
0
50
100
150
200
250
300
0.1
1
10
100
F
0
20
40
60
80
100
120
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
C
V
CE
= 6 V
I
B
= 200
I
B
= 300
I
B
= 400
I
B
= 500
V
CE
= 3 V
Ambient Temperature, T
A
[℃]
V
CE
[V]
V
BE
[V]
I
C
[mA]
www.tachyonics.co.kr
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Aug.-2005
Rev 2.0
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PDF描述
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