參數(shù)資料
型號： THM1001TE
廠商： Tachyonics CO,. LTD.
英文描述： SiGe HBT MMIC POWER AMPLIFIER
中文描述： 硅鍺HBT MMIC功率放大器
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 147K
代理商： THM1001TE
Page 8
60
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Seoul, Korea. 153
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8,
Gasan
-
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dong,
Kumchun
-
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023
Gu
http://
www.tachyonics.co.kr
Rev. 1.1
Evaluation Board Layout
Board Size 30 x 30 mm
2
2. Middle1 Layer
Inner GND
4. Bottom layer
Ground Plane
3. Middle2 layer
DC Path
THM1001TE
1. Top layer
Material & Structure of PCB
FR4 H1 = 220um
FR4 H2 = 200um
FR4 H3 = 220um
Top Cond 1
Cond 2
Cond 3
Bot Cond 4
Hole14
1
2
3
4
Top Solder Mask
Bot Solder Mask
相關(guān)PDF資料
PDF描述
THM2003J SiGe HBT MMIC Wideband Linear Amplifier
THN4201 NPN SiGe RF TRANSISTOR
THN4201E NPN SiGe RF TRANSISTOR
THN4201KF NPN SiGe RF TRANSISTOR
THN4201U NPN SiGe RF TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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