參數(shù)資料
型號： THM1001TE
廠商： Tachyonics CO,. LTD.
英文描述： SiGe HBT MMIC POWER AMPLIFIER
中文描述： 硅鍺HBT MMIC功率放大器
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 147K
代理商： THM1001TE
Absolute Maximum Ratings
DC Electrical Characteristics
Condition : V
CC0
=V
CC1
=V
CC2
=V
RAMP
=3.3V, T
A
=25
Input and Output externally matched to 50
Parameter
Symbol
Unit
Min
Max
Supply Voltage
Vcc
V
-0.3
+3.6
Control Voltage
V
CTL
V
-0.3
Vcc
Ramping Voltage
V
RAMP
V
-0.3
Vcc
-40
T
STG
Storage Temperature
Range
C
-40
+150
+8
+85
+150
IN
T
A
Tj
RF Input Power
dBm
Operating Temperature
Range
C
Maximum Junction
Temperature
C
,
unless otherwise noted.
Operation in excess of any one of above Absolute Maximum Ratings may result in
permanent damage.
Handling and assembly of this device should be at ESD protected workstations.
THM1001TE
Symbol
Note
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Vcc
Supply Voltage
3.3
V
Icc
1
Supply Current
(Icc=Ivcc0+Ivcc2), V
CTL
=3.3V
Supply Current Variation over
Temperature from T
A
=25
(-40
<T
A
<+85
PA Output Power Control Voltage
Range
90
150
mA
ICCtemp
3
)
TBD
%
V
CTL
0 ~ VCC
V
I
CTL
1
Current sunk by V
CTL
Pin
130
3
Logic High Voltage
2.4
V
3
Logic Low Voltage
0.4
V
Istby
1
Leakage Current when Vramp=0V,
Vctl=high
3
10
V
RAMP
Page 3
60
-
-
Seoul, Korea. 153
-
-
8,
Gasan
-
-
dong,
Kumchun
-
-
023
Gu
http://
www.tachyonics.co.kr
Rev. 1.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
THM2003J SiGe HBT MMIC Wideband Linear Amplifier
THN4201 NPN SiGe RF TRANSISTOR
THN4201E NPN SiGe RF TRANSISTOR
THN4201KF NPN SiGe RF TRANSISTOR
THN4201U NPN SiGe RF TRANSISTOR
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