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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F320C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory |
| 中文描述： | 3伏英特爾高級啟動塊閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 31/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 920K |
| 代理商： | TE28F320C3 |
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28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
3UHOLPLQDU\
25
AC Characteristics, Continued
NOTES:
1. OE# may be delayed up to t
t
GLQV
after the falling edge of CE# without impact on t
ELQV
.
2. Sampled, but not 100% tested.
See
Figure 7, “AC Waveform: Read Operations” on page 26
.
See
Figure 5, “Input/Output Reference Waveform” on page 22
for timing measurements and maximum
allowable input slew rate.
#
Sym
Para-
meter
Density
32 Mbit
Unit
Product
70 ns
90 ns
100 ns
110 ns
V
CC
2.7 V
–3.6 V
2.7 V–3.6 V
3.0 V–3.3 V
2.7 V–3.3 V
3.0 V–3.3 V
2.7 V–3.3 V
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
R1
t
AVAV
Read Cycle Time
Address to Output
Delay
CE# to Output
Delay
OE# to Output
Delay
RP# to Output
Delay
CE# to Output in
Low Z
OE# to Output in
Low Z
CE# to Output in
High Z
(2)
OE# to Output in
High Z
Output Hold from
Address, CE#, or
OE# Change,
Whichever Occurs
First
70
90
90
100
100
110
ns
R2
t
AVQV
70
90
90
100
100
110
ns
R3
t
ELQV
70
90
90
100
100
110
ns
R4
t
GLQV
20
20
30
30
30
30
ns
R5
t
PHQV
150
150
600
600
600
600
ns
R6
t
ELQX
0
0
0
0
0
0
ns
R7
t
GLQX
0
0
0
0
0
0
ns
R8
t
EHQZ
20
20
25
25
25
25
ns
R9
t
GHQZ
20
20
25
25
25
25
ns
R10
t
OH
0
0
0
0
0
0
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F004B3B110 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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