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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F320C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory |
| 中文描述： | 3伏英特爾高級啟動(dòng)塊閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 920K |
| 代理商： | TE28F320C3 |
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28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
3UHOLPLQDU\
21
DC Characteristics, Continued
DC Characteristics, Continued
NOTES:
1. All currents are in RMS unless otherwise noted. Typical values at nominal V
CC
, T
A
= +25 °C.
Sym
Parameter
V
CC
2.7 V–3.6 V
2.7 V–2.85 V
2.7 V–3.3 V
Unit
Test Conditions
V
CCQ
2.7 V–3.6 V
1.65 V–2.5 V
1.8 V–2.5 V
Note
Typ
Max
Typ
Max
Typ
Max
I
CCE
+I
PPE
V
+ V
Erase Current
for 0.18 Micron Product
1,2,4
16
45
21
45
21
45
mA
V
PP
= V
PP1, 2, 3
Program in
Progress
V
= V
Program in
Progress
V
= V
Program in
Progress
V
PP
= V
PP4
Program in
Progress
V
= V
Program or Erase
Suspend in
Progress
16
45
16
45
16
45
mA
V
+ V
Erase Current
for 0.25 Micron and 0.4
Micron Product
1,2,4
20
45
21
45
21
45
mA
16
45
16
45
16
45
mA
I
PPES
I
PPWS
V
Erase Suspend
Current
1,4
50
200
50
200
50
200
μA
Sym
Parameter
V
CC
2.7 V–3.6 V
2.7 V–2.85 V
2.7 V–3.3 V
Unit
Test Conditions
V
CCQ
2.7 V–3.6 V
1.65 V–2.5 V
1.8 V–2.5 V
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
V
IL
Input Low Voltage
–0.4
V
*
0.22 V
V
CCQ
+0.3V
–0.4
0.4
–0.4
0.4
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
CCQ
–0.4V
V
CCQ
+0.3V
V
CCQ
–0.4V
V
CCQ
+0.3V
V
V
OL
Output Low Voltage
–0.1
0.1
-0.1
0.1
-0.1
0.1
V
V
CC
= V
CC
Min
V
CCQ
= V
CCQ
Min
I
OL
V
CC
= V
CC
Min
V
CCQ
= V
CCQ
Min
I
OH
A
Complete Write
Protection
V
OH
Output High Voltage
V
CCQ
–0.1V
V
CCQ
–0.1V
V
CCQ
–0.1V
V
V
PPLK
V
PP
Lock-Out Voltage
5
1.5
1.5
1.5
V
V
PP1
V
PP2
V
PP3
V
PP4
V
during Program and
Erase Operations
5
5
5
2.7
3.6
V
V
V
V
2.7
2.85
2.7
11.4
3.3
12.6
5,6
11.4
12.6
11.4
12.6
V
LKO
V
Prog/Erase
Lock Voltage
V
CCQ
Prog/Erase
Lock Voltage
1.5
1.5
1.5
V
V
LKO2
1.2
1.2
1.2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F004B3B110 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F004B3B90 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
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