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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F320B3TA100 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 2.7V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 57/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 920K |
| 代理商： | TE28F320B3TA100 |
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28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
3UHOLPLQDU\
51
0580_E4
Figure 13. Erase Suspend/Resume Flowchart
Start
Write B0H
Read Status Register
Bus Operation
Write
Write
No
Command
Erase Suspend
Read Array
Comments
Data = B0H
Addr = X
Data = FFH
Addr = X
SR.7 =
SR.6 =
1
Write FFH
Read Array Data
Erase Completed
Done
Reading
Yes
Write FFH
Write D0H
Erase Resumed
Read Array Data
0
1
0
Read
Read array data from block
other than the one being
erased.
Read
Status Register Data Toggle
CE# or OE# to Update Status
Register Data
Addr = X
Standby
Check SR.7
1 = WSM Ready
0 = WSM Busy
Standby
Check SR.6
1 = Erase Suspended
0 = Erase Completed
Write
Erase Resume
Data = D0H
Addr = X
Write
Read Status
Data = 70H
Addr = X
Write 70H
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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