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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F320B3TA100 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 2.7V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 40/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 920K |
| 代理商： | TE28F320B3TA100 |
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28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
34
3UHOLPLQDU\
6.0
Ordering Information
Package
TE = 40-Lead/48-Lead TSOP
GT = 48-Ball μBGA* CSP
GE = VF BGA CSP
Product line designator
for all Intel
Flash products
Access Speed (ns)
(70, 80, 90, 100, 110)
Product Family
B3 = 3 Volt Advanced Boot Block
V
CC
= 2.7 V - 3.6 V
V
= 2.7 V - 3.6 V or
11.4 V - 12.6 V
Device Density
640 = x16 (64 Mbit)
320 = x16 (32 Mbit)
160 = x16 (16 Mbit)
800 = x16 (8 Mbit)
400 = x16 (4 Mbit)
016 = x8 (16 Mbit)
008 = x8 (8 Mbit)
004 = x8 (4 Mbit)
T =
Top Blocking
B =
Bottom Blocking
Lithography
Not Present = 0.4 μm
A = 0.25 μm
C = 0.18 μm
T E 2 8 F 3 2 0 B 3 T C 7 0
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