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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TE28F320B3TA100 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 2.7V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 38/58頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 920K |
| 代理商： | TE28F320B3TA100 |
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28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
32
3UHOLPLQDU\
0580_08
NOTES:
1. CE# must be toggled low when reading Status Register Data. WE# must be inactive (high) when reading
Status Register Data.
A. V
Power-Up and Standby.
B. Write Program or Erase Setup Command.
C. Write Valid Address and Data (for Program) or Erase Confirm Command.
D. Automated Program or Erase Delay.
E. Read Status Register Data (SRD): reflects completed program/erase operation.
F.Write Read Array Command.
Figure 8. AC Waveform: Program and Erase Operations
ADDRESSES [A]
CE#(WE#) [E(W)]
OE# [G]
WE#(CE#) [W(E)]
DATA [D/Q]
RP# [P]
IH
V
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IN
D
IN
A
IN
A
Valid
SRD
IN
D
IH
V
High Z
IH
V
IL
V
V [V]
PPH
V
V
PPLK
V
PPH
1
2
WP#
IL
V
IH
V
IN
D
A
B
C
D
E
F
W8
W6
W9
W3
W4
W7
W1
W5
W2
W10
W11
(Note 1)
(Note 1)
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參數(shù)描述 |
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