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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F256P30 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash存儲器（J3） |
| 文件頁數(shù)： | 51/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 905K |
| 代理商： | TE28F256P30 |
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256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
51
10 = pulse on Program Complete
Used to generate a system interrupt pulse when any flash device in
an array has completed a program operation. Provides highest
performance for servicing continuous buffer write operations.
11 = pulse on Erase or Program
Complete
Used to generate system interrupts to trigger servicing of flash arrays
when either erase or program operations are completed, when a
common interrupt service routine is desired.
NOTES:
1. When configured in one of the pulse modes, STS pulses low with a typical pulse width of 250 ns.
2. An invalid configuration code will result in both SR.4 and SR.5 being set.
Table 22. STS Configuration Coding Definitions
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
Reserved
Pulse on
Program
Complete
(1)
Pulse on
Erase
Complete
(1)
D[1:0]
= STS Configuration Codes
Notes
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F640J3A-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F640J3A-125 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F640J3A-150 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F640J3C | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F640J3C-115 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F256P30B85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F256P30B95 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F256P30B95A | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| TE28F256P30BFA | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| TE28F256P30T85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
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