參數(shù)資料
型號： TE28F160B3BC80
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
中文描述： 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 80 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, TSOP-48
文件頁數(shù)： 47/49頁
文件大?。?/td> 427K
代理商： TE28F160B3BC80
E
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
47
PRELIMINARY
APPENDIX C
ACCESS TIME VS. CAPACITIVE LOAD
(t
AVQV
vs. C
L
)
Access Time vs. Load Capacitance
Derating Curve
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
30
50
70
100
Load Capacitance(pF)
A
Smart 3 Advanced Boot
Block
NOTE:
V
CCQ
= 2.7V
This chart shows a derating curve for device access time with respect to capacitive load. The value in the
DC characteristics section of the specification corresponds to C
L
= 50 pF.
NOTE:
Sampled, but not 100% tested
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