參數(shù)資料
型號(hào)： TE28F160B3BC80
廠商： INTEL CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
中文描述： 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 80 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 38/49頁(yè)
文件大小： 427K
代理商： TE28F160B3BC80
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
E
38
PRELIMINARY
TEST POINTS
INPUT
OUTPUT
V
CCQ
0.0
V
CCQ
2
V
CCQ
2
0580_11
NOTE:
AC test inputs are driven at V
CCQ
for a logic
“1” and 0.0V for a logic “0.” Input timing begins, and output timing ends, at V
CCQ
/2.
Input rise and fall times (10%–90%) <10 ns. For worst case speed conditions V
CCQ
= 1.8V.
Figure 13. 1.8V
—2.2V Input Range and Measurement Points
C
L
Out
V
CCQ
Device
under
Test
R
1
R
2
0580_12
NOTE:
See table for component values.
Figure 14. Test Configuration
Test Configuration Component Values for Worst
Case Speed Conditions
Test Configuration
C
L
(pF)
R
1
(
) R
2
(
)
1.8V Standard Test
50
16.7K
16.7K
NOTE:
C
L
includes jig capacitance.
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PDF描述
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