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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F128P30T85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 86/102頁 |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | TE28F128P30T85 |
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1-Gbit P30 Family
April 2005
86
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Figure 41.
Program Suspend/Resume Flowchart
Read Status
Register
SR.7 =
SR.2 =
Write FFh
Susp Partition
Read Array
Data
Program
Completed
Done
Reading
Write FFh
Pgm'd Partition
Write D0h
Any Address
Program
Resumed
Read Array
Data
0
No
0
Yes
1
1
PROGRAM SUSPEND / RESUME PROCEDURE
Write
Program
Resume
Data = D0h
Addr = Suspended block (BA)
OpBus
Comments
Write
Program
Suspend
Data = B0h
Addr = Block to suspend (BA)
Standby
Check SR.7
1 = WSM ready
0 = WSM busy
Standby
Check SR.2
1 = Program suspended
0 = Program completed
Write
Read
Array
Data = FFh
Addr = Any address within the
suspended partition
Read
Read array data from block other than
the one being programmed
Read
Status register data
Addr = Suspended block (BA)
PGM_SUS.WMF
Start
Write B0h
Any Address
Program Suspend
Read Status
Write 70h
Same Partition
Program Resume
Read Array
Read Array
Write
Read
Status
Data = 70h
Addr = Same partition
If the suspended partition was placed in Read Array mode:
Write
Read
Status
Return partition to Status mode:
Data = 70h
Addr = Same partition
Write 70h
Same Partition
Read Status
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F128P30xxx | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F256P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F256P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F640P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F128P30T85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| TE28F128P30XXX | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F128P33B85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| TE28F128P33T85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| TE28F160B3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
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