參數(shù)資料
型號： TE28F128J3C-150
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 8M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 25/72頁
文件大小： 905K
代理商： TE28F128J3C-150
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
25
NOTES:
1. CE
low is defined as the last edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CE
X
high is defined at the
first edge of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see
Table 13
).
2. In this diagram, BYTE# is asserted high.
Figure 11. 8-word Asynchronous Page Mode Read
1
2
6
8
R10
R8
R15
R10
R5
R9
R7
R6
R4
R3
R1
R2
A[MAX:4] [A]
A[3:1] [A]
CEx [E]
OE# [G]
WE# [W]
D[15:0] [Q]
RP# [P]
BYTE#
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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TE28F320J3A-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3A-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3A-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3C Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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TE28F128J3C150SL759 功能描述:IC FLASH 128MBIT 150NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
TE28F128J3D75 制造商:Intel 功能描述: 制造商:INTELC 功能描述:
TE28F128J3D-75 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx? Embedded Flash Memory (J3 v. D)
TE28F128J3D75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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