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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TC59SM808BFTL-70 |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/49頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2437K |
| 代理商： | TC59SM808BFTL-70 |
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TC59SM816/08/04BFT/BFTL-70,-75,-80
2001-06-11
4/49
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
SYMBOL
PARAMETER
RATING
UNITS
NOTES
VIN, VOUT
Input, Output Voltage
0.3~VCC + 0.3
V
1
VCC, VCCQ
Power Supply Voltage
0.3~4.6
V
1
Topr
Operating Temperature
0~70
°C
1
Tstg
Storage Temperature
55~150
°C
1
Tsolder
Soldering Temperature (10s)
260
°C
1
PD
Power Dissipation
1
W
1
IOUT
Short-Circuit Output Current
50
mA
1
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS (Ta
==== 0°~70°C)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNITS
NOTES
VCC
Power Supply Voltage
3
3.3
3.6
V
2
VCCQ
Power Supply Voltage (for DQ Buffer)
3
3.3
3.6
V
2
VIH
LVTTL Input High Voltage
2
VCC + 0.3
V
2
VIL
LVTTL Input Low Voltage
0.3
0.8
V
2
Note: VIH (max) = VCC/VCCQ + 1.2 V for pulse width ≤ 5 ns
VIL (min) = VSS/VSSQ 1.2 V for pulse width ≤ 5 ns
VCCQ must be less than or equal to VCC.
CAPACITANCE (VCC
==== 3.3 V, f ==== 1 MHz, Ta ==== 25°C)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
Input Capacitance
(A0~A12, BS0, BS1, CS , RAS , CAS , WE , DQM*, CKE)
4
pF
CI
Input Capacitance (CLK)
5
pF
CO
Input/Output Capacitance
6.5
pF
Note: These parameters are periodically sampled and not 100% tested.
*
LDQM, UDQM (TC59SM816)
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