參數(shù)資料
型號(hào)： TC55VCM216ASTN55
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
中文描述： 馬鞍山暫定東芝數(shù)字集成電路硅柵CMOS
文件頁(yè)數(shù)： 7/14頁(yè)
文件大?。?/td> 201K
代理商： TC55VCM216ASTN55
TC55VCM216ASTN40,55
2002-07-04 7/14
AC TEST CONDITIONS
PARAMETER
TEST CONDITION
Input pulse level
0.2 V, V
DD
×
0.7 V
+
0.2 V
t
R
, t
F
1V / ns(Fig.1)
Timing measurements
V
DD
×
0.5
Reference level
V
DD
×
0.5
Output load
30 pF
+
1 TTL Gate(Fig.2)
Fig.1 : Input rise and fall time
Fig.2 : Output load
Dout
30 pF
R2
V
TM
R1
R1
=
810
R2
=
1610
V
TM
=
2.3 V
GND
90%
1 V/ns
t
R
10%
90%
10%
t
F
V
DD
Typ
1 V/ns
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PDF描述
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