參數(shù)資料
型號(hào)： TC55VCM216ASTN55
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
中文描述： 馬鞍山暫定東芝數(shù)字集成電路硅柵CMOS
文件頁數(shù)： 12/14頁
文件大?。?/td> 201K
代理商： TC55VCM216ASTN55
TC55VCM216ASTN40,55
2002-07-04 12/14
Note:
(1)
In CE1 controlled data retention mode, minimum standby current mode is entered when CE2
≤
0.2 V or
CE2
≥
V
DD
0.2 V.
(2)
When CE1 is operating at the V
IH
(min.) level, the operating current is given by I
DDS1
during the
transition of V
DD
from 2.3(2.7) to 2.2V(2.4 V).
(3)
In CE2 controlled data retention mode, minimum standby current mode is entered when CE2
≤
0.2 V.
(4)
In UB (or LB) controlled data retention mode, minimum standby current mode is entered when CE1
≤
0.2 V or CE1
≥
V
DD
0.2 V, CE2
≤
0.2 V or CE2
≥
V
DD
0.2 V.
(5)
When UB (or LB) is operating at the V
IH
(min.) level, the operating current is given by I
DDS1
during
the transition of V
DD
from 2.3(2.7) to 2.2V(2.4 V).
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PDF描述
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