參數(shù)資料
型號： TC55VCM216ASTN55
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
中文描述： 馬鞍山暫定東芝數(shù)字集成電路硅柵CMOS
文件頁數(shù)： 3/14頁
文件大?。?/td> 201K
代理商： TC55VCM216ASTN55
TC55VCM216ASTN40,55
2002-07-04 3/14
OPERATING MODE
MODE
1
CE
CE2
OE
R/W
LB
UB
I/O1~I/O8
I/O9~I/O16
POWER
L
H
L
H
L
L
Output
Output
I
DDO
L
H
L
H
H
L
High-Z
Output
I
DDO
Read
L
H
L
H
L
H
Output
High-Z
I
DDO
L
H
*
L
L
L
Input
Input
I
DDO
L
H
*
L
H
L
High-Z
Input
I
DDO
Write
L
H
*
L
L
H
Input
High-Z
I
DDO
L
H
H
H
L
L
High-Z
High-Z
I
DDO
L
H
H
H
H
L
High-Z
High-Z
I
DDO
Output Deselect
L
H
H
H
L
H
High-Z
High-Z
I
DDO
H
*
*
*
*
*
High-Z
High-Z
I
DDS
*
L
*
*
*
*
High-Z
High-Z
I
DDS
Standby
*
*
*
*
H
H
High-Z
High-Z
I
DDS
*
= don't care
H = logic high
L = logic low
MAXIMUM RATINGS
SYMBOL
RATING
VALUE
UNIT
V
DD
Power Supply Voltage
0.3~4.2
V
V
IN
Input Voltage
0.3
*
~4.2
V
V
I/O
Input/Output Voltage
0.5~V
DD
+
0.5
V
P
D
Power Dissipation
0.6
W
T
solder
Soldering Temperature (10s)
260
°C
T
stg
Storage Temperature
55~150
°C
T
opr
Operating Temperature
40~85
°C
*
:
2.0 V when measured at a pulse width of 20ns
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (
Ta
=
40° to 85°C
)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNIT
V
DD
Power Supply Voltage
2.3
3.6
V
V
DD
=
2.3 V~2.7 V
2.0
V
IH
Input High Voltage
V
DD
=
2.7 V~3.6 V
2.2
V
DD
+
0.3
V
V
IL
Input Low Voltage
0.3
*
V
DD
×
0.24
V
V
DH
Data Retention Supply Voltage
1.5
3.6
V
*
:
2.0 V when measured at a pulse width of 20ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TC55VD1618FF-133 1M Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(1M 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
TC55VD1636FF-133 512K Word x 36 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x36位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
TC55VD818FF-133 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
TC55VD818FF-150 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
TC55VD818FF-143 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TC55VCM216ASTN55(LA) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
TC55VCM316BSGN55LC 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
TC55VCM316BTGN55LA 功能描述:IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
TC55VCM416BSGN 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:1,048,576-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM
TC55VCM416BTGN 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:1,048,576-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*